我在玩拆卸一个华硕笔记本电脑电源砖(19V, 4.74A)和遇到这个奇怪的安排在电路，在桥整流后，有一个MOSFET (Q1, N通道)，可以使<1欧姆连接从+电源(330Vdc)到负。这似乎是它唯一的功能，似乎它只能导致一个熔断的输入保险丝。进一步往下看，你可以在我的粗略原理图中看到，当然是开关MOSFET (Q2)馈电SMPS变压器。你们中任何一个工程师在那里，这个可笑的电路的目的是什么，如果它是为了保护过电压/尖峰，难道MOV不是比MOSFET便宜得多，而且不会在这样的事故后导致一个砖的设备吗?我很想听听你的想法!提前谢谢!
EDIT I kind of lied在原理图中，L4实际上是某种变压器，其次级走向MCU，它是在板上看到的黄色带包覆变压器与宽铜箔带在顶部。仅供参考< / em > < / p > < p > < a href = " https://i.stack.imgur.com/Sgu0b.jpg " rel =“nofollow”noreferrer > < img src = " https://i.stack.imgur.com/Sgu0b.jpg " alt = "在这里输入图像描述" / > < / > < / p > < p > < a href = " https://i.stack.imgur.com/zrU91.jpg " rel =“nofollow”noreferrer > < img src = " https://i.stack.imgur.com/zrU91.jpg " alt = "在这里输入图像描述" / > < / > < / p >
FET Q1将在高频切换，因此它不会短整流300V到0V，因为在路径中有电感，最有可能的是L4是升压电感，以转换更高的电压，并将其存储在大块电容C1中。
但是，是的，显然，如果FET Q1永久打开，当电感饱和时，它将把300V短至0V，它将烧断保险丝。
正如另一个答案指出的，这看起来像有源功率因数校正。
功率因数是实功率(短期平均净能量转移率)除以视在功率(RMS电压乘以RMS电流)的比值。最大可能的功率因数为1，当电流波形与电压波形完全成比例并同相位时即可实现。
注意到，很多资源会从相位的角度讨论功率因素，当你讨论交流电机时，这个世界观是有意义的，但当讨论整流电容器电路时就没有意义了。
传统上，在开关电源中有一个整流器，紧接着是一个大的“主电容器”。这个设置的问题是它的功率因数是可怕的，电流是在接近交流波形的峰值的小尖峰，而在其他时间没有电流被绘制。
功率因数可以通过在输入端串联一个大的电感来有所提高，这降低了电流的变化率，从而使电流的尖峰扩散一点，这就是所谓的“无源pfc”。
有源PFC就像你的电源有更进一步的事情，它增加了一个升压转换器之间的整流器和主主电容。在原理图中，升压转换器由Q1, L4和Q1上方的二极管组成。
当Q1打开时，L4电荷积聚，当Q1关闭时，L4向电容器放电。这使得电流可以在整个周期中以可控的方式从电源中抽取，因此可以实现非常高的功率因数。功率因数为0.99的电源通常要求有源功率因数校正。
It also allows a consistent voltage on the primary capacitor to be maintained regardless of line voltage changes. This is useful when implementing a universal-voltage power supply.