半桥式变压器驱动器的栅驱动器燃烧和缓冲设计

Question

• IR2113浮动通道数字输入半桥变压器驱动器
• 死时间设置正确
• 通道电源VPP 20- 60v，门偏压电源15v
• 工作频率15-100 kHz，工作方式PWM或FM
• 负载类型:不稳定的空气等离子体(讨厌的反电动势，也EMP发射)
• Q1和Q2是SiCFET，它可以被滥用。

问题:

• 我在这上面烧了一管IR2113，但我不确定到底是什么在烧IR2113。
• 我推测是反emf烧坏了门驱动，所以我添加了D1和D7，但门驱动仍然烧坏了。
• 一个常见的方法是添加RC缓冲器VS到GND和VS到VPP，但我不知道使用什么RC值来允许驱动频率通过。

Answer 1

至少电容C6连接错误。它应该在VB和VS之间，因为它绝对不应该在HO上。

Answer 2

如果地核饱和了呢?

我首先注意到的是中点设置了电容器(C2和C3)。这不是一个好方法，因为电容器有一个非常高的容忍度。这种不平等导致中点偏移，而这种偏移(即偏移)最终导致核心的饱和。这在模拟中是看不到的，因为电容器是理想的。

所以,

1-放置相等和足够高的电阻横跨分压器电容器，以便他们共享VPP平等。

2-将D1和D7(应该是快速恢复二极管)放置在mosfet上(不要相信mosfet的主体二极管)。

3-在变压器的中点和初级之间放置一个1uF/100V的陶瓷电容器(原理图中的引脚2)。这种阻塞电容器有助于防止中点移位相关的问题。

Answer 3

在引脚2和5之间添加一个快速开关飞轮二极管，因为你可能有高瞬态。Q2有一个二极管，但是开关时间太慢。