我想，是时候了解MOSFET晶体管的工作原理了。。。
假设;
问题# 1
哪种驾驶技术是可行的?我的意思是，这四种电路中哪一种能正确地应用控制信号?
问题# 2
负载和卸载电阻的控制信号(CS1, CS2, CS3, CS4)的电压等级范围是多少?(我理解开关状态的精确边界必须单独计算。但我要求的是近似值来理解工作原理。请给出这样的陈述:在电路(2)中，当CS2低于397V时晶体管开启，当CS2高于397V时关闭。".)
当正确驾驶时，所有的电路都是可行的，但2和3更常见，更容易驾驶良好，更安全，而不是做错事。
我不会给你一套基于电压的答案，我会给你一些通用规则，一旦你理解了它们，它们会更有用。
mosfet有一个安全的最大Vgs或Vsg，超过了这个Vgs或Vsg，它们就可能被破坏。这通常在任何方向上都是相同的，更多的是结构和氧化物层厚度的结果。
当Vg介于Vth和VGM之间时，MOSFET将“开启”
这对控制上述电路中的fet是有意义的。
将电压Vgsm定义为门电压比源电压高的最大电压。
将-VGM定义为Vg相对于s可能为负值的最大值。
定义Vth为栅极必须为wrt源才能打开FET的电压。对于N通道FET，Vth为+ve，对于P通道FET，Vth为负值。
所以
电路3
MOSFET是安全的Vgs范围+/- Vgsm。
MOSFET为Vgs> +Vth开启
电路2
MOSFET是安全的Vgs范围+/- Vgsm。
MOSFET在- Vgs > -Vth(即栅极比漏极负Vth幅度更大)时是打开的。
电路1和3号电路完全一样
即相对于场效应管的电压是相同的。想想就知道了。但是Vg现在在任何时候都是~= 400V。
电路4和2号电路完全一样
即相对于场效应管的电压是相同的。再一次，当你想它的时候，这并不奇怪。但是Vg现在将在400V轨以下~= 400V。
即电路中的差异与N通道FET的Vg wrt接地电压和P通道FET的+400V电压有关。FET并不“知道”它的栅极所处的绝对电压——它只“关心”源的电压。
相关-在上述讨论后将会出现:
MOSFET是“2象限”开关。也就是说，对于一个N沟道开关，其中栅极和漏极相对于“4象限”中的源极的极性可以是++、+-、-、和++，MOSFET将以
或
2016年初新增：
问：你提到电路2和3非常常见，为什么？
开关可以在两个象限中工作，是什么让我们选择P通道到N通道，高侧到低侧
A:如果你仔细看一遍，原始答案中有很多这方面的内容。但是…
打开时，所有电路仅在第1象限运行：你关于2象限运算的问题表明了对上述4个电路的误解。我在上面的最后提到了2象限运算，但这与正常的运算无关。以上4个电路都在其第一象限中工作-即Vgs极性= Vds极性在任何时候打开。
第二象限运算是可能的
Vgs极性=-Vds极性在开启时始终保持
但这通常会引起并发症，因为FET中内置的“体二极管”-见最后的“体二极管”部分。
在电路2和电路3中，栅极驱动电压总是位于电源轨道之间，因此没有必要使用“特殊”安排来推导驱动电压。
在电路1中，栅极驱动必须高于400V轨，以获得足够的Vgs来打开MOSFET。
在电路4中，栅极电压必须低于地。
为了获得这样的电压，通常使用“自举”电路，该电路通常使用二极管电容“泵”来提供额外的电压。
一种常见的安排是在桥接器中使用4 x N通道。
2 x低边FET通常有栅驱动-说0/12 V, 2高边FET需要(这里)sav 412V来供应+12V到高边FET，当FET打开。这在技术上并不困难，但需要做的更多，出错的更多，必须加以设计。自举电源通常由PWM开关信号驱动，因此有一个较低的频率，你仍然得到上门驱动。关闭交流电源，自举电压在漏电情况下开始衰减。也不是很难，只是最好避免。
使用4 × N通道是“好”的
都是匹配的,
同样的$ Rdson通常比P频道低。
注意！！！：如果封装是隔离的标签或使用绝缘安装，所有的都可以一起放在同一个散热器上-但一定要小心！！！
在这种情况下
较低的2个有
把排水管的电压调到400V
消息来源是可靠的，
比如说，栅极为0/12V。
虽然
上面的两个有
永久400V的排水管和
在电源和电源上切换400V
闸门上的电压为400/412 V。
身体二极管:通常遇到的所有fet在漏极和源极之间都有一个“固有的”或“寄生的”反向偏置体二极管。在正常操作中，这不会影响预期的操作。如果FET在第二象限工作(例如N通道Vds = -ve, Vgs = +ve)[[卖弄学问:如果你喜欢，就叫第三象限:-)]]，那么当Vds为-ve时，FET关闭时，体二极管将导电。有情况下，这是有用的和需要的，但他们不是什么是通常发现在eg 4 FET桥。
*主体二极管的形成是因为形成器件层的衬底是导电的。具有绝缘衬底（如Saphire上的硅）的器件没有这种固有的主体二极管，但通常非常昂贵且专用）。
这是一个好问题！有一些细微的差别，其他答案都忽略了，所以我想我应该插嘴。
简短的回答如下:
什么时候不使用这个拓扑?这样做的唯一主要原因是，如果您有一个负载需要有一个终端连接到电路接地，为电气安全或尽量减少电磁辐射/敏感性。一些汽车/ /热水器/风机/水泵等必须这样做，在这种情况下，您将被迫使用高端拓扑#1或#2。
一个n沟道高边开关(拓扑#1)比一个同等大小/价格的p沟道高边开关有更好的性能，但栅驱动更复杂，必须相对于n沟道MOSFET源端，该源端随电路开关的不同而变化，但是有专门的栅极驱动集成电路，用于驱动高端n沟道mosfet。高压、大功率应用一般采用该拓扑。
P通道高压侧开关（拓扑#2）的性能比同等尺寸/价格的N通道高压侧开关差，但栅极驱动很简单：将栅极连接到正极导轨（“图纸中的+400V”）将其关闭，将栅极连接到正极导轨下方5-10V的电压将其打开。嗯，基本上很简单。在低电源电压（5-15V）下，基本上只需将栅极接地即可打开MOSFET。在较高电压（15-50V）下，通常可以使用电阻器和齐纳二极管创建偏置电源。高于50V，或者如果开关必须快速打开，这将变得不切实际，并且这种拓扑很少使用。
最后一种拓扑#4（低压侧P通道开关）是所有拓扑中最差的（设备性能较差，门驱动电路复杂），基本上从未使用过。
我写了一个更详细的讨论博文．
您没有指定控制电压是否与接地有关，或者是否可以浮动。
电路3是最实用的n通道方案。电源相对于地的电压是固定的，这意味着你可以提供一个固定的门源电压来控制它。MOSFET将在离地+2.5到+12V的任何地方“打开”，这取决于设备。
1号赛道很棘手。当MOSFET关闭时，源是一个浮动节点(想象一个顶部电阻巨大的电阻分压器)，位于接近零的地方。当MOSFET打开时，假设饱和，源极将非常接近400V。移动源意味着栅极对地控制电压也必须移动以保持MOSFET开启。
电路1是更好的，如果你参考控制电压的源MOSFET，而不是接地。这是微不足道的，如果你打算驱动MOSFET与PWM信号与足够小的时间，以允许使用脉冲变压器或电荷泵驱动器。将控制电压固定到MOSFET的源意味着MOSFET可以上下浮动，因为它想要，而不影响驱动器。
2号电路和3号电路一样简单。如果控制电压参考地，证明从栅极到地397.5V到388V(从栅极到源极-2.5到-12V)将打开MOSFET。电源是固定的(总是在+400V)，所以控制栅极意味着你所需要的是一个固定的电压。(除非你的400V总线崩溃，但那是另一个问题)。
第四赛道和第二赛道一样棘手。当MOSFET关闭时，电源位于400V附近。当它打开时，它将降至接近零。可变电源意味着相对于地面的可变栅极电源，这也是一个混乱的命题。
一般来说，尽可能保持源的固定，或者如果它们必须浮动，使用浮动供应来控制它们。
