我正在考虑制作一个原型PCB,它将使用桥梁整流AC,这将最终在我的地区(+/-平滑)约为350V的峰值。这是一个通孔设计,电路将使用MOSFET,例如MOSFET。IRF840(欢迎评论)。我是AC的新手,我正在教育自己。
问题是-我不确定我如何能保持推荐的间隙,因为MOFET的足迹(to -220)有大约0.5毫米的间隙之间的引脚,我将使用它来切换低侧的整流电源线。
按照大多数标准,裸露的金属之间应该至少有1.5毫米,对吗?一般是怎么做的?是否有不同的,更大的MOSFET足迹?如果是这样的话,为什么会有像这样额定为500V+的mosfet呢?