选择全桥门驱动程序

Question

我想在12V DC电路中使用H桥模块作为开关，并且如果可能的话，易于简化，以便使用诸如IRS2453D的全桥栅极驱动器。H桥包括4个IGBT，额定值75A，并且意图是4至8Hz的非常慢的切换率。

从H桥开关数据表中，这些IGBT的栅极电容约为4.3NF，栅极电荷166NC。饱和电压为15V和V._GS.阈值~ 4 v。(门源漏电流120nA)。

由于开关速率在毫秒范围内如此慢，因此到目前为止，我的理解是该特定栅极驱动器的典型0.26a下沉和0.18A源电流足以涉及的栅极电容。加入的引导电容为0.1μF，远高于栅极电容。

我的问题是，从广义上讲(如果这在电子领域是可能的)，这种全桥驱动是否适合这种应用，如果不是，为什么不呢?任何指导都将不胜感激。

Answer 1

使用IGBT在12V看起来很奇怪 - 有很便宜的MOSFET可以推动数百个安培，仍然非常低_DSon．

在4Hz bootstrap的速率下，驱动器可能是不够的——一个外部隔离的低功率电源模块可以为高端晶体管供电，只要你想要。由于在如此低的频率下需要巨大的电感，变压器驱动在那里不是一个东西。

为高侧开关供电，可以使用一个简单的NE555电荷泵或任何其他升压转换器。