我想在12V DC电路中使用H桥模块作为开关,并且如果可能的话,易于简化,以便使用诸如IRS2453D的全桥栅极驱动器。H桥包括4个IGBT,额定值75A,并且意图是4至8Hz的非常慢的切换率。
从H桥开关数据表中,这些IGBT的栅极电容约为4.3NF,栅极电荷166NC。饱和电压为15V和V.GS.阈值~ 4 v。(门源漏电流120nA)。
由于开关速率在毫秒范围内如此慢,因此到目前为止,我的理解是该特定栅极驱动器的典型0.26a下沉和0.18A源电流足以涉及的栅极电容。加入的引导电容为0.1μF,远高于栅极电容。
我的问题是,从广义上讲(如果这在电子领域是可能的),这种全桥驱动是否适合这种应用,如果不是,为什么不呢?任何指导都将不胜感激。