这个问题在这里部分讨论(但不是全部):
结论是,在直流电流稳定的正偏二极管中:
电压降表示将电荷(电子和空穴)从一个半导体推到另一个半导体所需的能量(单位电荷)。
正偏二极管上的功率降完全是热的。
让我们更详细地关注这两种说法。让我们考虑以下带图,在正向偏置的情况下:
我想说:
当二极管正向偏置时,空穴被从P推到N,电子被从N推到P,正确的?
电子和空穴的能级都沿结变化,因为它们分别对应于传导带和价带。它们的跳跃是相同的,因为两个关卡都是用平行曲线表示的。二极管的电压降是否等于这个跳跃,是这个跳跃的两倍还是其他?
注入每个半导体中的载流子经过不连续面后做了什么?它们会重新结合并产生热量吗?它们是否在不受干扰的情况下继续以电流的形式流动?在第一个堆栈问题中,它写有运营商的损失。如果某些载流子在不连续处消失,那么KCL定律如何成立?