这是一个需要特别注意措辞的问题，以免因为不够具体而被抨击。然而，除了获得以下具体问题的答案外，我对真实世界的经验和主观意见真的很感兴趣。
最近，我不得不深入研究一些关于跟踪(/pad，/导体，幸运的是，在一些地方这是有区别的)间隙更高的电压的一些标准。我特别感兴趣的dc范围约24至48 V。
我个人的一个收获是:我遇到的所有标准文本(主要是IPC或EN)规定了巨大的痕迹许可，除非使用保形涂层。对我来说，这导致了这样一个事实，即这些标准在今天的一些IC包中根本无法得到尊重。
一个常见的例子(但实际上只是众多可能的例子之一)是开关调节器或电机驱动器。当看着SOTA(如:不介绍10 +年前)模型从大玩家,有整洁的QFN包格式类似于24针5 x5mm指定per-line-currents几安培,其中一些电压远高于> 15 v(例如IPC2221)的强硬路线。现在，假设TI等人做了很好的设计工作和额定值，我们正在谈论的pad pitch下降到0.20或甚至0.15毫米这里。
长话短说:假设没有标准允许使用没有保形涂层的“中压”ic，我是对的吗?我的意思是，是的，使用它是一个选项，我只是好奇，因为我看到很多板(它是提供的，或在拆卸封闭包装的设备)，肯定没有什么，除了焊接掩模。是不是每个人都不去尝试适应这些标准，除非你达到了高压模式，那里的布局是巨大的，安全性更重要?再进一步说:像0.2毫米间距的qfn这样的密集封装是否被普遍禁止，因为这些标准是如此保守和/或更新缓慢，他们仍然只考虑2000年前的技术?
