我需要类似于德州仪器的东西TVS3300但对于更高的电压。TVS3300基本上是TVS二极管的替代品，该二极管使用内部mosfet钳制电压，在完全关闭和完全打开之间有一个非常小的窗口。
我的最大工作电压是60-65V（pref 65V），我需要低于70V的最大箝位电压。我将使用分立mosfet进行箝位。一种选择是使用齐纳调节器直接驱动N沟道mosfet的栅极。然而，它在开和关之间有一个相当宽的窗口，并且~60V齐纳没有精确的电压，特别是在只有几微安的驱动下。
我知道TVS3300使用比较器。大多数比较器仅提供高达40V的电压。当输入电压为0V时，如何为比较器供电，使其能够足够快地激活，以阻止快速瞬变？LDO的启动时间通常很短。
我还需要一个低成本（低于1美元），低静态电流，最好低于10uA和一个非常小的占地面积（pref低于10mm2不包括mosfet）。
我知道TVS3300使用比较器。
是的，这就是神奇之处:一个固定的参考电压，一个分压器来除以你的输入电压，这样在钳位电压下，它就等于参考电压;两者都馈入驱动MOSFET栅极或晶体管基极的比较器。经典的撬棍。
大多数比较器只能提供高达40V的电压。当输入电压为0V时，我如何给比较器供电，以便它能足够快地激活以阻止快速瞬态?
那你自己建一个吧。你的比较者不需要神奇的准确,对。
您可以购买Q1+Q2作为双晶体管在同一封装，有点匹配，热耦合良好。R1,R2,R5, Q1,Q2组成一个比较器，比较两个晶体管的基极电压(基极电压较高的晶体管导电指数更大，从而提高R5上的电压，从而减少通过另一个的电流，从而提高另一个的集电极电压，所有这些都非常陡)。
R4-D1形成电压基准(鼓励您使用更好的参考比简单的齐纳二极管)。R3是一个电压分压器，在67v时，Q1底部的电压等于Q2底部的电压。
对于电压> 100 V来说，这些组件都不是特别难买的。
