半桥变压器驱动器电容过热

Question

我想用IR2104半桥驱动电视变压器来做一个DSP等离子扬声器。开关频率在15KHz-100KHz之间。

• 我从一个旧的模拟等离子扬声器设计中选择了拓扑图:

• 用单片机代替模拟PWM;我使用浮动通道门驱动程序而不是GDT

然而，有几个问题:

• 我不知道如何添加反电动势缓冲到这，因为反电动势是AC和二极管不会做任何好的。
• C3和C4会过热，我知道它们是用于直流阻塞的，但我不知道为什么它们需要10000uF(我手上没有10000uF，所以我用100uF代替)。如果不是巨大的电容要求，我将使用mmp电容。

提前感谢!

Answer 1

C3和C4会过热

C3和C4会过热，因为在工作频率下它们的阻抗太高，所以它们会以热量的形式消耗一些通过它们的能量。

你需要使用阻抗较低的电容器。顺带一提，它们的体型往往更大，容量也更高。有一个原因，为什么最初的设计使用大的10mF电容器:你不能只是使用其他东西，“因为你没有他们”，而不了解他们为什么需要。没有人会在不需要的情况下将昂贵的大电容器放入电路中:)

我不知道如何添加反电动势缓冲到这，因为反电动势是AC和二极管不会做任何好的。

您可以使用齐纳或瞬态电压抑制二极管。事实上，即使在继电器的典型使用中，反电动势二极管也不应该只是一个整流器，因为这会减慢继电器的开路速度，并缩短触点寿命(较慢的开路速度会在触点上产生更多的热量，并延长可能存在的任何电弧的持续时间)。大多数由直流驱动的继电器应用最好采用反电动势齐纳装置，其工作电压为1-2倍，但驱动器必须能够承受这种工作电压。

唉，缓冲器的工作也是在开关打开时驱散高频瞬变。为此，您需要一个RC电路，也许与铁氧体珠，耗散的能量频率高于您的应用频率。并联于初级电源的高通滤波器，设置为1MHz截止，并在该频率上设置50-100欧姆阻抗，可能是一个很好的起点。