我在玩拆卸华硕笔记本电脑电源砖(19V, 4.74A)和遇到这个奇怪的安排在电路，在桥整流后，有一个MOSFET (Q1, N通道)，可以使一个<1欧姆连接从+电源(330Vdc)到负。这似乎是它唯一的功能，似乎它只能导致一个熔断的输入保险丝。进一步往下看，你可以在我的粗略原理图中看到，当然是开关MOSFET (Q2)馈电SMPS变压器。你们中任何一个工程师在那里，这个可笑的电路的目的是什么，如果它是为了保护过电压/尖峰，难道MOV不是比MOSFET便宜得多，而且不会在这样的事故后导致一个砖的设备吗?我很想听听你的想法!提前谢谢!
编辑我的谎言在原理图中，L4实际上是某种变压器，其次要朝向MCU，它在板上看到作为黄色带包变压器，顶部宽铜箔条带。供参考
这是功率因数校正电路。
FET Q1将在高频切换，因此它不会短整流300V到0V，因为在路径中有电感，最有可能的是L4是升压电感，以转换更高的电压，并将其存储在大块电容C1中。
但是的，显然，如果FET Q1永久打开，它将短300V到0V时，电感饱和，它将烧断保险丝。
正如另一个答案指出的，这看起来像有源功率因数校正。
功率因数是实际功率的比率（净能量传输的短期平均速率）除以表观功率（RMS电压乘以RMS电流）。最大可能的功率因数是1，并且当电流波形与电压波形的相位正常成比例时，实现。
注意，很多来源将讨论功率因素的相位，这个世界观是有意义的，当你讨论交流电机，但不真正有意义，当讨论整流电容电路。
传统上，在交换模式电源中，您可以立即进行整流器，然后是大型“主电容”。此设置的问题是它的功率因数是可怕的，电流以靠近交流波形的峰值的小尖峰绘制，并且在其他时间没有绘制电流。
功率因数可以通过在输入端串联增加一个大的电感来有所改善，这降低了电流的变化率，从而将电流的尖峰分布出去一点，这就是所谓的“无源PFC”。
像电源一样的活性PFC进一步采用了一步，它在整流器和主电容器之间增加了升压转换器。在原理图中，该升压转换器由上方Q1，L4和二极管形成。
当Q1导通电荷在L4中构建时，当它关闭L4放电到电容器中时。这允许在整个循环中以受控方式从电源中从电源中抽出电流，因此允许实现非常高的功率因数。通常要求0.99的功率因数用于具有有源功率因数校正的电力供应。
它还允许在初级电容上保持一致的电压，而不管线路电压的变化。这在实现通用电压电源时很有用。
