的最初的问题被认为是缺乏重点。这篇文章是关于dram芯片的。
当DRAM控制器与异步DRAM对话时,DRAM本身如何知道写操作何时完成并向DRAM控制器应答?写一个DRAM单元(一个晶体管+一个电容)需要一定的时间来完成,DRAM本身是如何执行自定时并通知DRAM控制写完成的?(我想这个问题也适用于SDRAM?即使SDRAM有同步接口,其核心仍然需要进行自定时。)
的最初的问题被认为是缺乏重点。这篇文章是关于dram芯片的。
当DRAM控制器与异步DRAM对话时,DRAM本身如何知道写操作何时完成并向DRAM控制器应答?写一个DRAM单元(一个晶体管+一个电容)需要一定的时间来完成,DRAM本身是如何执行自定时并通知DRAM控制写完成的?(我想这个问题也适用于SDRAM?即使SDRAM有同步接口,其核心仍然需要进行自定时。)
异步DRAM根本不是自动计时的。DRAM控制器必须满足DRAM数据表中指定的所有时间要求,否则操作将以某种方式失败。
即使使用现代同步DRAM芯片,在内存控制器和DRAM芯片之间也没有“握手”。控制器必须产生具有所需时序关系的所有控制信号。有时,特别是在pc中使用的内存模块,有一个小ROM,其中包含该模块上芯片的时序要求。