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在MOSFET栅极电荷曲线中Vds与什么状态(开/关)相关，以及Id如何影响它?
例如，这是p-MOSFET的栅极电荷曲线：假设这个p-MOSFET作为负载的简单高压侧开关工作。这种负载将比mosfet具有更大的电阻。。。
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当两个电容器C1和C2通过开关机制瞬间串联时，会发生什么?电荷如何共享?
假设有两个电容器（电容器假设为C1和C2）。它们之间有一个开关S1，开关S1长时间打开。最初电容器C1充电到电压V1伏。现在。。。
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为什么不能根据数据表上提供的其他值来确定MOSFET栅极的电容?
猜想如果是$$Cg={Qg\over Vg}$$，那么一定是$$（Ciss+Coss+Crss）Vg=Qgon$$，但事实证明并非如此。我不明白我错过了什么。我
