问题标记(cmos)

“互补金属氧化物半导体”是一种实现PMOS和NMOS晶体管组合的工艺。目前大多数数字逻辑都是在CMOS中实现的。由于其广泛应用的成本效益意味着许多其他应用也变得普遍,如模拟设计、图像传感器、电信等。

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一个逻辑芯片与4,1:2解多路复用和所有他们有相同的选择引脚?(关闭)

比如,74157的反面。我有一个二进制的4位数据输出,我想在两个不同的电路之间切换,或者只有两个4位数据输入和一个选择引脚。
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什么是后期解码器?

我最近在电路设计中听说了一些关于预解码器和后解码器的事情。当我看到这些电路时,预解码器和每本教科书或网站上的普通解码器是一样的。但是我没有。。。
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3个led的12V逻辑控制

我正在构建一个电路,但在没有使用许多继电器的情况下,我被难倒了。如果能得到任何帮助,我将不胜感激。基本上我有3个不同颜色的LED在一个(按钮)的一些。。。
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这真的是一个好的CMOS NAND门吗?

这是我昨天才发现的www.electronics-tutorials.ws。这个网站有大量的电子工程内容,比我在一个免费网站上看到的都要多。我发现了这个…
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27日视图

jfet和mosfet,掐灭条件

在mosfet中,沟道被压缩,在VDS的进一步增加中,有沟道长度调制,在这个电子通过耗尽区,因为电…
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太空机器人如何免受辐射?

伽马射线会损坏电子存储器和传感器。机器人在探索月球、火星、拍摄太阳时如何避免伽马辐射?
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58种观点

在CMOS NAND门的第一个NMOS中,“类源”符号是什么意思?

我假设这意味着,如果Q4关闭(引导?),源代码不会保持浮动。
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53岁的观点

估计下列电路中输入脉冲所提供的电荷。每个电路的输入电容是多少?

来源:CMOS电路设计,布局和模拟,第四版,由R. Jacob Baker。我想我做了栅极和漏极之间的电压差。
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46岁的观点

估计电压通过每个电容器,在每个以下电路,之后的场效应晶体管的打开

我不知道如何解决这个问题。我有LTSpice模拟,但我需要手工解决它。问题如下:LTSpice的模拟如下:NMOS: 1pF -> goes to 2.58V…
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为什么CCD图像比CMOS图像更好?

我读到过,CMOS图像传感器技术最先被发现,但之后它们有了更多的噪音,因此当CCD被发明后,它因为更好的图像质量而受到欢迎。几十年后,现在我们用…
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39岁的观点

多输入与非门或多2输入与非门(VLSI设计)

我不确定哪个选项是标题中提到的最佳实践。这是我在Cadence做的VLSI课程的一部分,所以也需要做这个设计的布局。为…
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53岁的观点

二极管连接负载时的超速电压如何与二极管连接负载时的限位电压摆动?

我知道M2的阈值电压如何限制电压摆动的上限,但我正在读的书说M2的超速电压也限制电压摆动。我能来的唯一原因…
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问题与4x4 USB切换

我正在构建一个4x4 Arduino控制的USB开关的想法如下:2组CMOS模拟开关形成一个4x4矩阵开关的D+和D- USB信号使用MAX4652SE芯片USB设备…
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113的浏览量

如何计数单个周期的24 GHz时钟信号?(复制)

是否有数字计数器或类似电路可用于计算24GHz时钟信号的周期或半周期(例如,通过阈值交叉)?我不是在找频率计数器。。。
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41岁的观点

CMOS中0(接地)和z(浮动)之间的差异

我已经阅读了之前的讨论。但是,我仍然想知道,是否可以准确计算出高阻抗状态的电压。基于此,我有几个问题:渗漏……

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