问题标记(cmos)
“互补金属氧化物半导体”是一种实现PMOS和NMOS晶体管组合的工艺。目前大多数数字逻辑都是在CMOS中实现的。由于其广泛应用的成本效益意味着许多其他应用也变得普遍,如模拟设计、图像传感器、电信等。
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估计电压通过每个电容器,在每个以下电路,之后的场效应晶体管的打开
我不知道如何解决这个问题。我有LTSpice模拟,但我需要手工解决它。问题如下:LTSpice的模拟如下:NMOS: 1pF -> goes to 2.58V…
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