问题标记(non-volatile-memory)

记忆通过能量循环来保持它的价值。

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擦除闪存就这么慢吗?(S25FL127S)

我正在尝试与Cypress/Infineon S25FL127S (https://www.cypress.com/file/177961/download - 16MB SPI Flash模块)接口,Erase命令非常慢。用两种不同的…
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NAND闪存芯片是否比micro SD卡更省电?

我知道,它们在技术上是一样的,但据我所知,NAND闪存芯片可以更好地控制,比如把它放到待机状态,然后在几纳秒内唤醒它,这可能是……
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55岁的观点

MSP430的FRAM操作是原子的吗

在具有内部FRAM的MSP430中,我使用下面的代码. ...在FRAM中存储一个长变量
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39岁的观点

Micron MT25QL512ABB8ESF-0SIT在非易失配置寄存器设置后不工作

我使用的是STM32H7评估板。有一个片上QSPI DUAL NOR芯片MT25QL512ABB8ESF-0SIT。寄存器值为0x89D6,电源周期,FLASH…
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44岁的观点

Microchip 48LM01内存安全读操作CRC和STM32硬件CRC

我正在尝试使用STM32硬件CRC计算机制从这个数据(3字节地址和128字节的数据)获得CRC值:…
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内存行驱动没有足够的驱动能力

我正在构建一个RRAM的行驱动程序。与传统存储器不同的是,RRAM的细胞是由类似电阻的元件组成的。我试着用一个逆变器和一个背靠背的逆变器…
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eeprom能有反馈网络来创建状态机吗?

我已经设想了一个简单的系统,根据绕组上的电压来检测步进器的前进方向,并仿真两个端开关,只依赖于一个……
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搜索条件的序列号IC或内存转储没有初始化?

我有一个现有的产品,我的任务是添加一个电子阅读序列号。有专门的ic,但它们都需要一些初始化或握手之前…
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45的观点

存储器地址解码器设计的工业标准

我目前正在设计一块ReRAM的地址解码器,将发送给TSMC并生产。我在课堂和课本上学习过,有两种常见的地址解码器设计。一个……
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1 k的观点

Silicon-free放大器

我正在做一个无硅电脑,我需要一种在断电后存储信息的方法。现在,固态核心存储器似乎是最好的选择。然而,实芯的感觉线…
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47岁的观点

基于银行/行/列的NOR闪存存在吗?

由于SDRAM基于银行/行/列方案,它支持的地址比地址总线宽度允许的地址更多。我的问题是,是否存在基于。
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32的观点

电路中存储器的操作定义

我一直在研究记忆电阻器(非理想)和一些相关电路,依赖于在内存中使用的IV的压缩迟滞。我仍然对缺乏构成……的总体框架感到困惑。
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为什么ESP32不支持NAND flash?

简单的问题,但我在网上找不到任何关于它的信息。为什么Espressif不支持NAND闪存,当它是更经济的选择?我问,因为我试图集成一个128mb…
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长时间存储数据[已关闭]

如何为遥远的未来存储数据?这完全是假设,但基于半导体的数据存储是否可能有类似的…
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85的浏览量

试图理解STM32L433的FLASH区域

我正在尝试了解更多关于STM32的FLASH内存(在Nucleo-64 STM32L433RCT6P上),以便我可以使用FLASH内存的一个页面来存储一些用户配置(以便数据被保留…

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