用于切换和放大的跨导（使用电压到控制电流）电子元件。金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。（来自http://en.wikipedia.org/wiki/transistor）
MOSFET是一种三端器件，用于控制电路中的电流流动。允许在漏极和源极之间流动的电流量与施加在器件栅极上的电压信号成正比。这是与传统双极结晶体管的主要区别——BJT集电极-发射极电流由基极电流控制，而MOSFET漏源极电流由栅电压控制。
场效应管的物理结构在漏极和源极之间产生寄生二极管，这在设计场效应管电路时必须考虑到。
mosfet的主要分类:
- 增强模式或耗尽模式
- n沟道或p沟道
没有使用损耗p沟道mosfet。
它们更多地用作开关而不是放大器。
进一步阅读:
- 场效应晶体管的理论与实践，飞思卡尔应用说明
- 功率MOSFET基础知识， IR申请须知
